euv和duv區別:1、duv基本上只能做到25nm,而euv能滿足10nm以下的晶圓權制造;2、duv主要利用光的折射原理,而euv利用的光的反射原理,內部必須為真空操作。
本文操作環境:Windows7系統,Dell G3電腦。
euv和duv區別:
1、製程範圍不同
duv:基本上只能做到25nm,Intel憑藉雙工作臺的模式做到了10nm,卻無法達到10nm以下。
euv:能滿足10nm以下的晶圓權制造,並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。
2、發光原理不同
duv:光源為準分子鐳射,光源的波長能達到193納米。
euv:鐳射激發等離子來發射EUV光子,光源的波長則為13.5納米。
3、光路系統不同
duv:主要利用光的折射原理。其中,浸沒式光刻機會在投影透鏡與晶圓之間,填入去離子水,使得193nm的光波等效至134nm。
euv:利用的光的反射原理,內部必須為真空操作。
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