【原創】i.MXRT J-Flash燒寫演演算法使能eFuse熔絲位寫入
好吧，前文還在各種感慨各種裝x然後立刻切換到技術上來貌似有點生硬有點突兀，不過看我部落格的人都習慣我嘮叨了，不影響大家學習知識就好，哈哈。。。下文進入正題。
i.MXRT系列在Internal Boot模式下正常啟動時，預設設定會在POR_B復位管腳上升沿的時刻從Boot CFG GPIO管腳獲取到電平狀態並裝載到SRC_SBMR1暫存器，然後BOOT_ROM會以該暫存器的值來決定外部啟動裝置的型別和相關的啟動設定，比如Flexspi介面啟動還是SEMC介面啟動還是SDHC啟動，還有Flexspi是Norflash啟動還是Nandflash啟動，以及啟動時的時脈頻率和使用的哪組管腳設定，具體請查詢i.MXRT RM手冊SystemBoot章節（注意不同RT系列，它的BOOT_CFG對應的IO管腳可能是不一樣的，下圖是RT1060的）。
不過在實際應用中，有些系統設計對IO利用率要求較高，由於可用IO數量不夠而使用到BOOT_CFG相關的IO管腳同時外部電路又沒辦法保證在剛上電時POR_B上升沿時刻這些管腳的電平狀態是可控的，這種情況下如果繼續使用Internal Boot模式下的預設設定則可能會由於啟動設定裝載的IO狀態不是預期的進而導致MCU啟動失敗（可通過dump SRC_SBMR1暫存器看到BOOT_CFG訊號不正常非預期）。針對這種情況，i.MXRT在Internal Boot模式下提供了從內部eFuse熔絲位獲取啟動設定的方式，即MCU上電覆位後不再從BOOT_CFG IO管腳電平獲取啟動設定而是使用內部eFuse的設定，具體見RM手冊SystemBoot章節如下圖，當內部熔絲位BT_FUSE_SEL寫成1之後（出廠預設為0），GPIO狀態不再決定啟動設定而是由eFuse熔絲內部的BOOT_CFG1和BOOT_CFG2位決定。
從上述解釋說明我們知道了通過燒寫內部eFuse熔絲位BT_FUSE_SEL和BOOT_CFG1和2可以決定RT的啟動設定，那這兩個熔絲位的位置具體在哪裡以及如何寫入。從RT的RM手冊裡Fusemap章節找到boot fusemap table如下，可以看到BOOT_CFG1和2位於eFuse地址0x450的[15:0]位，BT_FUSE_SEL位於地址0x460的bit4位元，這些eFuse位出廠預設均為0，如果使用者的外部Flash是我們平時最常用的QSPI Flash的話，則從下圖eFuse位說明可以看到BOOT_CFG1和2位不需要再寫入（保持0即可），我們只需要把BT_FUSE_SEL寫1即可（注意eFuse只能從0寫成1，而且只能寫一次）。
本專案最新的Flash燒寫演演算法新加入了對eFuse熔絲位的寫入支援，一旦使能了該功能後，使用者在給RT下載更新程式的同時也會寫入eFuse，對使用者來說是無感的，最大程度減少使用者額外的操作，不過對eFuse的寫入大家一定要謹慎，因為eFuse一旦從0寫成1就無法再逆向回去了 （這也是叫做熔絲位的原因）。如下圖，加入了eFuse的寫入，不過預設是不生效的，使用者如果想使能eFuse的燒寫的話，需要開啟BT_FUSE這個宏然後重新編譯生成對應的elf檔案，再參考我之前的一篇文章<
對於上述的eFuse寫入程式碼，這裡簡單解釋一下，由於eFuse是一塊獨立的物理儲存空間不在CPU內部的4G可定址空間範圍內，要對其進行操作需要藉助於OCOTP控制器，而eFuse的地址和OCOTP裡的地址有個對映關係即eFuse address = OCOTP index * 0x10 + 0x400，所以上圖中我們傳入OCOTP的引數0x06對應的是eFuse空間中的0x460，也就是BT_FUSE_SEL熔絲位所在的物理空間地址。如果使用者想要操作其他eFuse空間，則可以參考該程式碼中的API用法自行新增和修改，但是一定要注意對eFuse的操作是一次性的。
本文的最新程式碼和檔案我已update到我的github倉庫，歡迎下載和star。老話繼續，本文首發