W25Q128JV 128Mbit 序列Flash記憶體

1. 資訊

該記憶體先劃分為256個可擦除塊。每個塊可以劃分為16個磁區，每個磁區4KB。每個磁區可以劃分為16個頁。每頁256位元組。

即可以知道，共計65536可程式化頁， 4096個磁區，256個塊。

儲存框圖

2. 寫入資料

一次最多寫入256位元組。

3. 擦除資料

頁被擦除時，可以按照16頁一組（4KB的磁區大小），

或者按照128頁一組（32KB塊大小），

或者256頁一組（64KB塊），

或者整個晶片

4. SPI

標準SPI通訊（模式0和模式3），時脈頻率133MHz。標準SPI指令使用DI輸入引腳在CLK的上升沿將指令，地址或資料序列寫入器件。DO輸出引腳用於在CLK的下降沿從器件讀取資料或狀態。

當SPI匯流排主機處於待機狀態且資料未傳輸至序列快閃記憶體時，模式0與模式3之間的主要區別在於CLK訊號的正常狀態。

（1）對於模式0，CLK訊號通常在/ CS的下降沿和上升沿為低電平。

（2）對於模式3，CLK訊號通常在/ CS的下降沿和上升沿為高電平

5. 片選

SPI片選（/ CS）引腳啟用和禁用器件操作。

（1） / CS為高電平時，取消選擇器件，並且序列資料輸出（DO或IO0，IO1，IO2，IO3）引腳處於高阻態。取消選擇時，除非正在進行內部擦除，程式設計或寫入狀態暫存器週期，否則裝置的功耗將處於待機狀態。

（2）將/ CS調低時，將選擇裝置，功耗將增加到活動水平，並且可以將指令寫入裝置或從裝置讀取資料。

上電後，/ CS必須從高電平轉換為低電平，然後才能接受新指令。

/ CS輸入必須在加電和斷電時跟蹤VCC電源電平（請參見「防寫」和圖58）。

如果需要，可以使用/ CS引腳上的上拉電阻器來完成此操作。

6. 狀態和設定暫存器

W25Q128JV提供了三個狀態和設定暫存器。

【讀取狀態暫存器-1/2/3指令】可用於提供有關快閃記憶體陣列可用性的狀態，無論該裝置是啟用寫操作還是禁用寫操作，防寫狀態，Quad SPI設定，安全暫存器鎖定狀態，擦除/程式掛起狀態，輸出驅動器強度，上電。

【寫狀態暫存器指令】可用於設定裝置防寫功能，Quad SPI設定，安全暫存器OTP鎖定和輸出驅動器強度。對狀態暫存器的寫存取由非易失性狀態暫存器保護位（SRL）的狀態，寫使能指令以及在標準/雙SPI操作期間控制

狀態暫存器1

狀態暫存器2

狀態暫存器3

當擦除和編寫的動作涉及到處於保護狀態的區域資料時，該命令會被忽略。

7. 製造商和裝置ID

8. 指令集

略（稍後補充）

9. 程式碼實現